溅射是一种先进的薄膜材料制备技术, 它利用离子源产生的离子, 在真空中加速聚集成高速离子流, 轰击固体表面, 离子和固体表面的原子发生动能交换, 使固体表面的原子离开靶材并沉积在基材表面, 从而形成纳米或微米薄膜。而被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料, 称为溅射靶材。钨靶材和钼靶材可在各类基材上形成薄膜, 这种溅射膜广泛用作电子部件和电子产品, 如目前广泛应用的TFT - LCD ( 薄膜半导体管-液晶显示器)、等离子显示屏、无机光发射二极管显示器、场发射显示器、薄膜太阳能电池、传感器、半导体装置以及具有可调谐功函数CMOS(互补金属氧化物半导体)的场效应晶体管栅极等 。
爱科麦可生产的钨溅射靶材包括钨平面靶材和钨旋转靶材，以配合不同型号的磁控溅射设备使用。在使用过程中，钨旋转靶材的利用率远大于钨平面靶材。
由于使用了热等静压技术，爱科麦生产的钨靶材的密度接近理论密度，其组织均匀性及纯度等指标均受到了客户好评。
衡量钨靶材的质量主要因素有 纯度、致密度、晶粒尺寸及分布等。在这些方面，爱科麦投入了大量的资金和精力进行研发并取得了显著成效。并形成了具有以下特点的生产工艺（1）选择高纯钨粉作为原料; ( 2)独有的成形烧结技术, 以保证靶材的低孔隙率, 并控制晶粒度; ( 3)制备过程严格控制杂质元素的引入。（4）大尺寸钨钼材料的细晶轧制技术。（5）对部分高要求产品采用热等静压方法，*大程度地获得了钨靶材的良好性能。如此方法制得的钨靶材获得了18.6以上极高密度细晶粒产品。
此外，爱科麦生产近期致力于以下产品的研发并取得了突破：
1.产品大型化 生产出了单张尺寸规格为1 430mm *1 700mm *10 mm适合于G5代TFT镀膜设备的钼及钼钽靶材。对于更大的产品减少了拼接的数量。
2.为适应市场提高靶材利用率需求，正在研发制造长度超过3米的烧结旋转靶材，此种方法生产的钼靶材与喷涂法相比，具有质密的优势。
3.新兴的钨钛靶材的研制